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金屬化薄膜電容器,講述電容器的參數(shù)特性

瀏覽次數(shù):177401/14/2014  

前面講述了很多電容器的類別等基礎(chǔ)知識(shí),今天就帶著大家深入的了解電容器,今天講的就是電容器的主要參數(shù)特性。廢話不多說(shuō),直接開(kāi)始!
標(biāo)稱容量:標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。
允許偏差:實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3 級(jí):I 級(jí)±5%,II 級(jí)±10%,III級(jí)±20%。在有些情況下,還有0 級(jí),誤差為±20%。精密電容器的允許誤差較小,而電解電容器的誤差較大,它們采用不同的誤差等級(jí)。常用的電容器其精度等級(jí)和電阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005 級(jí)——±0.5%;F——01 級(jí)——±1%;G——02 級(jí)——±2%;J——I 級(jí)——±5%;K——II 級(jí)——±10%;M——III 級(jí)——±20%。

額定工作電壓:額定工作電壓是指在規(guī)定溫度范圍內(nèi),可以持續(xù)加在電容器上而不損壞電容器的最大直流電壓或交流電壓。也可以認(rèn)為是電容器在電路中能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定、可靠工作,所承受的最大直流電壓,又稱耐壓。對(duì)于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件,耐壓越高,體積越大。
(4)沖擊電壓Surge Voltage:

一般以電容器本身額定電壓之1.3 倍電壓加壓, 需工作正常無(wú)異狀.

(5)漏電流量Leakage current:

此為電解電容器之特定規(guī)格, 一般以電容器本身額定電壓加壓3 Min 后, 串接電流表測(cè)試, 其漏電流量需在0.01CV ( uF 電容量值與額定電壓相乘積) 或3uA 以下 (取其較大數(shù)值).特定低漏電流量使用 (Low leakage type) 則其漏電流量需在0.002CV 或0.4uA 以下.

(6)溫度系數(shù):在一定溫度范圍內(nèi),溫度每變化1℃,電容量的相對(duì)變化值。溫度系數(shù)越小越好。溫度系數(shù)有正負(fù)之分,正溫度系數(shù)電容器表明電容器隨溫度升高而增大,負(fù)的溫度系數(shù)則反之。

(7)使用溫度范圍:一般電解電容器的使用溫度范圍為 -25℃至+85℃, 特定高溫用或低漏電流量用者為 -40℃至+105℃.塑料薄膜電容器為 -40℃至+85℃.陶瓷電容器T/C type 為-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type 為 -25℃至+85℃

(8)絕緣電阻:又稱為漏電電阻,由于電容兩極之間的介質(zhì)不是絕對(duì)的絕緣體,所以他的電阻不是無(wú)限大,直流電壓加在電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻. 當(dāng)電容較小時(shí),主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉0.1uf時(shí),主要取決于介質(zhì)的性能,絕緣電阻越小越好。用來(lái)表明漏電大小的。一般小容量的電容,絕緣電阻很大,在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對(duì)而言,絕緣電阻越大越好,漏電也小。

(9)介質(zhì)損耗:在電場(chǎng)的作用下,電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)表示。相當(dāng)于串聯(lián)等效電阻同容抗1/wC之比。損耗tgδ

(10)頻率特性:電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器,由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小,電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外,在高頻工作時(shí),電容器的分布參數(shù),如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等,都會(huì)影響電容器的性能。所有這些,使得電容器的使用頻率受到限制。不同品種的電容器,最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ 以內(nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤(pán)型瓷介可達(dá)3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

(11)電容的時(shí)間常數(shù):為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù),他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。

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